71V65903S85BQG

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71V65903S85BQG概述

3.3V 512K x 18 ZBT Synchronous 3.3V I/O Flowthrough SRAM

SRAM - Synchronous, SDR ZBT Memory IC 9Mb 512K x 18 Parallel 8.5ns 165-CABGA 13x15


得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA


安富利:
3.3V 512K x 18 ZBT Synchronous 3.3V I/O Flowthrough SRAM


71V65903S85BQG中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

引脚数 165

封装 TBGA-165

外形尺寸

长度 15.0 mm

宽度 13.0 mm

封装 TBGA-165

厚度 1.20 mm

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买71V65903S85BQG
型号: 71V65903S85BQG
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:3.3V 512K x 18 ZBT Synchronous 3.3V I/O Flowthrough SRAM

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