3.3V 512K x 18 ZBT Synchronous 3.3V I/O Flowthrough SRAM
SRAM - Synchronous, SDR ZBT Memory IC 9Mb 512K x 18 Parallel 8.5ns 165-CABGA 13x15
得捷: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
安富利: 3.3V 512K x 18 ZBT Synchronous 3.3V I/O Flowthrough SRAM
电源电压 3.135V ~ 3.465V
引脚数 165
封装 TBGA-165
长度 15.0 mm
宽度 13.0 mm
厚度 1.20 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube, Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册