71V416S12BEG参数规格_中文资料_数据手册PDF

71V416S12BEG概述

Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9MM, BGA-48

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 12ns 48-CABGA 9x9

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

罗切斯特:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA Tray

71V416S12BEG中文资料参数规格

技术参数

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

长度 9.00 mm

宽度 9.00 mm

高度 0.85 mm

封装 TFBGA-48

厚度 1.20 mm

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买71V416S12BEG

型号： 71V416S12BEG

制造商： Integrated Device Technology 艾迪悌

描述：Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9MM, BGA-48

替代型号71V416S12BEG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
71V416S12BEG Integrated Device Technology 艾迪悌	当前型号	当前型号
71V416S12BE8 艾迪悌	完全替代	71V416S12BEG和71V416S12BE8的区别
71V416S12BEG8 艾迪悌	完全替代	71V416S12BEG和71V416S12BEG8的区别
IDT71V416VS12BEG 艾迪悌	功能相似	71V416S12BEG和IDT71V416VS12BEG的区别