71T75602S133BGGI参数规格_中文资料_数据手册PDF

71T75602S133BGGI概述

IC SRAM 18Mbit 133MHz 119BGA

SRAM - Synchronous, SDR ZBT Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 133MHz 4.2ns 119-PBGA 14x22

得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

贸泽:
SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M

安富利:
2.5V 512K X 36 ZBT Synchronous 2.5V I/O PipeLine SRAM

71T75602S133BGGI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 4.2 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 2.375V ~ 2.625V

电源电压Max 2.625 V

电源电压Min 2.375 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 119

封装 PBGA-119

外形尺寸

长度 14 mm

宽度 22 mm

高度 2.15 mm

封装 PBGA-119

厚度 2.15 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买71T75602S133BGGI

型号： 71T75602S133BGGI

制造商： Integrated Device Technology 艾迪悌

描述：IC SRAM 18Mbit 133MHz 119BGA