71T75602S150BGI参数规格_中文资料_数据手册PDF

71T75602S150BGI概述

IC SRAM 18Mbit 150MHz 119BGA

SRAM - Synchronous, SDR ZBT Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 150MHz 3.8ns 119-PBGA 14x22

得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

71T75602S150BGI中文资料参数规格

技术参数

电源电压 2.375V ~ 2.625V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 119

封装 PBGA-119

外形尺寸

长度 14.0 mm

宽度 22.0 mm

封装 PBGA-119

厚度 2.15 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买71T75602S150BGI

型号： 71T75602S150BGI

制造商： Integrated Device Technology 艾迪悌

描述：IC SRAM 18Mbit 150MHz 119BGA