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7MBR25UA-120-50概述

IGBT 分立,Fuji Electric IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立,Fuji Electric

### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


欧时:
Fuji Electric 7MBR25UA-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 25 A, Vce=1200 V, 24引脚 M711封装


7MBR25UA-120-50中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 115 W

封装参数

安装方式 PCB

引脚数 24

封装 Module

外形尺寸

长度 107.5 mm

宽度 45 mm

高度 17 mm

封装 Module

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买7MBR25UA-120-50
型号: 7MBR25UA-120-50
制造商: FUJI 富士电机
描述:IGBT 分立,Fuji Electric IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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