7MBP25RA-120-55

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7MBP25RA-120-55概述

IGBT 分立,Fuji Electric### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立,Fuji Electric

### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


欧时:
Fuji Electric 7MBP25RA-120-55 N通道 IGBT 模块, 25 A, Vce=1200 V, 22引脚 P 610封装


7MBP25RA-120-55中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 198 W

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min -20 ℃

耗散功率Max 198 W

封装参数

引脚数 22

封装 P 610

外形尺寸

长度 109 mm

宽度 88 mm

高度 22 mm

封装 P 610

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买7MBP25RA-120-55
型号: 7MBP25RA-120-55
制造商: FUJI 富士电机
描述:IGBT 分立,Fuji Electric ### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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