71V416L10BE

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71V416L10BE概述

静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 10ns 48-CABGA 9x9


得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA


贸泽:
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器


安富利:
3.3V 256K x 16 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA


罗切斯特:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA Tray


71V416L10BE中文资料参数规格
技术参数

存取时间 10 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 CABGA-48

外形尺寸

长度 9 mm

宽度 9 mm

高度 0.85 mm

封装 CABGA-48

厚度 1.20 mm

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买71V416L10BE
型号: 71V416L10BE
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器

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