70T633S10BCI

70T633S10BCI图片1
70T633S10BCI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 2.4V ~ 2.6V

封装参数

引脚数 256

封装 LBGA-256

外形尺寸

长度 17.0 mm

宽度 17.0 mm

封装 LBGA-256

厚度 1.40 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买70T633S10BCI
型号: 70T633S10BCI
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 256Pin CABGA Tray
替代型号70T633S10BCI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

70T633S10BCI

Integrated Device Technology 艾迪悌

当前型号

当前型号

70T3339S200BCG

艾迪悌

完全替代

70T633S10BCI和70T3339S200BCG的区别

70T3339S133BCI

艾迪悌

完全替代

70T633S10BCI和70T3339S133BCI的区别

70T633S10BC8

艾迪悌

完全替代

70T633S10BCI和70T633S10BC8的区别

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