70T651S12DRI

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70T651S12DRI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 12 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 2.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 208

封装 PQFP-208

外形尺寸

长度 28 mm

宽度 28 mm

高度 3.5 mm

封装 PQFP-208

厚度 3.50 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买70T651S12DRI
型号: 70T651S12DRI
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM
替代型号70T651S12DRI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

70T651S12DRI

Integrated Device Technology 艾迪悌

当前型号

当前型号

70T3519S133BFI

艾迪悌

完全替代

70T651S12DRI和70T3519S133BFI的区别

70T651S12BFGI

艾迪悌

完全替代

70T651S12DRI和70T651S12BFGI的区别

70T3519S133DRI

艾迪悌

完全替代

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