71V67803S133BQI

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71V67803S133BQI概述

静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/L

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 512K x 18 Parallel 133MHz 4.2ns 165-CABGA 13x15


得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA


贸泽:
静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/L


安富利:
3.3V 512K x 18 Synchronous 3.3V I/O PipeLined SRAM


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-bit 512K x 18 4.2ns 165-Pin CABGA Tray


71V67803S133BQI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 4.2 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

引脚数 165

封装 CABGA-165

外形尺寸

长度 15 mm

宽度 13 mm

高度 1.2 mm

封装 CABGA-165

厚度 1.20 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买71V67803S133BQI
型号: 71V67803S133BQI
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/L

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