1812J1K00101KC

1812J1K00101KC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1000 V

电容 100 pF

容差 ±10 %

产品系列 High Q

封装参数

封装公制 4832

封装 1812

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.2 mm

封装公制 4832

封装 1812

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

其他

最小包装 3000

数据手册

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型号: 1812J1K00101KC
制造商: Syfer Technology
描述:1812 100pF ±10% 1000V C0G

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