199D396X9010D2B1E3

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199D396X9010D2B1E3中文资料参数规格
技术参数

电容 39.0 µF

容差 ±10 %

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买199D396X9010D2B1E3
型号: 199D396X9010D2B1E3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Cap Tant Solid 39uF 10V 10% 6 X 10.16mm Radial 2.54mm 125℃ T/R
替代型号199D396X9010D2B1E3
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Vishay Semiconductor 威世

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完全替代

199D396X9010D2B1E3和199D396X9010D1V1E3的区别

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