893D475X9035C2TE3

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893D475X9035C2TE3中文资料参数规格
技术参数

等效串联电阻ESR 1.8 Ω

容差 ±10 %

额定电压 35 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 6032

外形尺寸

封装 6032

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: 893D475X9035C2TE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:CAP TANT 4.7uF 35V 10% 2312
替代型号893D475X9035C2TE3
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893D475X9035C2TE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

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T86C475K035EAAS

威世

完全替代

893D475X9035C2TE3和T86C475K035EAAS的区别

T86C475K035EASS

威世

完全替代

893D475X9035C2TE3和T86C475K035EASS的区别

T86C475K035EBAS

威世

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893D475X9035C2TE3和T86C475K035EBAS的区别

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