NTB23N03RG参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTB23N03RG概述

功率MOSFET 23安培， 25伏特N沟道D2PAK Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK

表面贴装型 N 通道 23A（Ta） 37.5W（Tj） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK

贸泽:
MOSFET 25V 23A N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK Rail

NTB23N03RG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 23.0 A

通道数 1

漏源极电阻 32 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 37.5 W

输入电容 225 pF

栅电荷 3.76 nC

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 23.0 A

上升时间 14.9 ns

输入电容Ciss 225pF @20VVds

额定功率Max 37.5 W

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 37.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NTB23N03RG

型号： NTB23N03RG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：功率MOSFET 23安培， 25伏特N沟道D2PAK Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK

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替代型号NTB23N03RG

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