HBE102MBBCF0KR

HBE102MBBCF0KR中文资料参数规格
技术参数

电容 0.001 µF

容差 ±20 %

额定电压 2000 V

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: HBE102MBBCF0KR
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Cap Ceramic 0.001uF 2000V K6000 20% 7 X 3mm Radial 7.5mm 85℃ Bulk

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