KTD101B475M43A0T00

KTD101B475M43A0T00中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

电容 4.7 µF

容差 ±20 %

封装参数

封装公制 4832

封装 1812

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.2 mm

高度 0.85 mm

封装公制 4832

封装 1812

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

其他

最小包装 2000

数据手册

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型号: KTD101B475M43A0T00
制造商: Nippon
描述:1812 4.7uF ±20% 100V X7R

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