NSS40200LT1G

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NSS40200LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  NSS40200LT1G  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 100 MHz, 710 mW, -2 A, 150 hFE

The is a PNP Bipolar Transistor designed for use in low voltage and high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCEsat and high current gain capability.

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High current gain
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ESD robust
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High cut-off frequency
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Low profile package
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Linear gain Beta
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Improved circuit efficiency
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Decreased battery charge time
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Reduce component count
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High frequency switching
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Smaller portable product
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No distortion
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AECQ101 qualified and PPAP capable
NSS40200LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 710 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 220 @500mA, 2V

额定功率Max 460 mW

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 540 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

宽度 1.3 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

NSS40200LT1G引脚图与封装图
NSS40200LT1G引脚图
NSS40200LT1G封装焊盘图
在线购买NSS40200LT1G
型号: NSS40200LT1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON SEMICONDUCTOR  NSS40200LT1G  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 100 MHz, 710 mW, -2 A, 150 hFE
替代型号NSS40200LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NSS40200LT1G

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NSV40200LT1G

安森美

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