NSS60600MZ4T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

NSS60600MZ4T1G概述

ON SEMICONDUCTOR NSS60600MZ4T1G 单晶体管双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 2 W, -6 A, 150 hFE

通用 PNP ，超过 1A，On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

NSS60600MZ4T1G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 4

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 120 @1A, 2V

额定功率Max 800 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, 车用, 电机驱动与控制, Automotive, Portable Devices, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

NSS60600MZ4T1G引脚图与封装图

在线购买NSS60600MZ4T1G

型号： NSS60600MZ4T1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR NSS60600MZ4T1G 单晶体管双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 2 W, -6 A, 150 hFE

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替代型号NSS60600MZ4T1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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