BD140

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BD140概述

STMICROELECTRONICS  BD140  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 1.25 W, -1.5 A, 250 hFE

通用 PNP ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics BD140 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=80 V, HFE:25, 3引脚 SOT-32封装


得捷:
TRANS PNP 80V 1.5A SOT32-3


立创商城:
PNP 80V 1.5A


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


富昌:
BD140 系列 80 V 1.5 A PNP互补低压晶体管 - SOT-32


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12W; SOT32


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  BD140  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 1.25 W, -1.5 A, 250


Win Source:
TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP SOT-32


BD140中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -1.50 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1.25 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1.25 W

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.7 mm

高度 10.8 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Audio, Power Management, Industrial, 音频, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

BD140引脚图与封装图
BD140引脚图
BD140封装图
BD140封装焊盘图
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型号: BD140
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:STMICROELECTRONICS  BD140  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 1.25 W, -1.5 A, 250 hFE
替代型号BD140
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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