9T08052A5112BBHFT参数规格_中文资料_数据手册PDF

9T08052A5112BBHFT概述

RES SMD 51.1KΩ 0.1% 0.125W1/8W 0805

51.1 kOhms ±0.1% 0.125W，1/8W 芯片 0805（2012 公制） - 薄膜

得捷:
RES SMD 51.1K OHM 0.1% 1/8W 0805

9T08052A5112BBHFT中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 150 V

容差 ±0.1 %

额定功率 0.125 W

电阻 51.1 kΩ

阻值偏差 ±0.1 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 500 µm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±100 ppm/℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： 9T08052A5112BBHFT

制造商： Yageo 国巨

描述：RES SMD 51.1KΩ 0.1% 0.125W1/8W 0805

替代型号9T08052A5112BBHFT

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
9T08052A5112BBHFT Yageo 国巨	当前型号	当前型号
RT0805BRE0751K1L 国巨	完全替代	9T08052A5112BBHFT和RT0805BRE0751K1L的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

9T08052A5112BBHFT

Yageo 国巨

当前型号

RT0805BRE0751K1L

国巨

完全替代