9T12062A5112DBHFT参数规格_中文资料_数据手册PDF

9T12062A5112DBHFT概述

RES SMD 51.1KΩ 0.5% 0.125W1/8W 1206

51.1 kOhms ±0.5% 0.125W，1/8W 芯片 1206（3216 公制） - 薄膜

得捷:
RES SMD 51.1K OHM 0.5% 1/8W 1206

9T12062A5112DBHFT中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

容差 ±0.5 %

额定功率 0.125 W

电阻 51.1 kΩ

阻值偏差 ±0.5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.10 mm

宽度 1.60 mm

高度 500 µm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±100 ppm/℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买9T12062A5112DBHFT

型号： 9T12062A5112DBHFT

制造商： Yageo 国巨

描述：RES SMD 51.1KΩ 0.5% 0.125W1/8W 1206

替代型号9T12062A5112DBHFT

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
9T12062A5112DBHFT Yageo 国巨	当前型号	当前型号
RT1206DRE0751K1L 国巨	类似代替	9T12062A5112DBHFT和RT1206DRE0751K1L的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

9T12062A5112DBHFT

Yageo 国巨

当前型号

RT1206DRE0751K1L

国巨

类似代替