2N7002K-7

2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 300mA/0.3A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 2Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation | 350mW/0.35W Description & Applications | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance: RDSON Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant ESD Protected Up To 2kV "Green" Device Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 描述与应用 | N沟道增强型场效应 特性 N沟道增强型场效应 晶体管 低导通电阻RDS（ON 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快 低输入/输出漏 无铅设计/符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求 ESD保护高达2kV "绿色"设备 符合AEC-Q101高可靠性标准