CRHV2010AF1G00JNE5

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CRHV2010AF1G00JNE5概述

Res Thick Film 2010 1G Ohm 5% 0.5W1/2W ±200ppm/℃ Pad SMD

1 GOhms ±5% 0.5W,1/2W 芯片 2010(5025 公制) 高电压 厚膜


得捷:
RES SMD 1G OHM 5% 1/2W 2010


CRHV2010AF1G00JNE5中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

额定电压 2 kV

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 5025

封装 2010

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 2.5 mm

封装公制 5025

封装 2010

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: CRHV2010AF1G00JNE5
制造商: Vishay Dale 威世达勒
描述:Res Thick Film 2010 1G Ohm 5% 0.5W1/2W ±200ppm/℃ Pad SMD

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