HB13M3CZRE参数规格_中文资料_数据手册PDF

HB13M3CZRE概述

厚膜电阻 3.3MΩ ±0.25% 1W

3.3 MOhms ±0.25% 1W Through Hole Resistor Radial High Voltage, Pulse Withstanding Thick Film

得捷:
RES 3.3M OHM 0.25% 1W RADIAL

立创商城:
厚膜电阻 3.3MΩ ±0.25% 1W

艾睿:
Res Thick Film 3.3M Ohm 0.25% 2W ±100ppm/°C Molded RDL Loose/Tray

HB13M3CZRE中文资料参数规格

技术参数

容差 ±0.25 %

额定功率 2 W

电阻 3.3 MΩ

阻值偏差 ±0.25 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 7.5 kV

封装参数

安装方式 Radial

封装 Radial

外形尺寸

长度 26.50 mm

宽度 3.00 mm

高度 10.4 mm

封装 Radial

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±100 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

最小包装 500

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ELV标准 Compliant

数据手册

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型号： HB13M3CZRE

制造商： TE Connectivity 泰科

描述：厚膜电阻 3.3MΩ ±0.25% 1W