NVMFD5877NLWFT3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

NVMFD5877NLWFT3G概述

60 V 39 M +， 17 A，双娜????通道，逻辑电平，双SO8FL 60 V, 39 m, 17 A, Dual NâChannel, Logic Level, Dual SO8FL

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 6A 3.2W 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

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NVMFD5877NLWFT3G

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MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

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MOSFET Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH

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Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin DFN T/R

NVMFD5877NLWFT3G中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 N-CH

耗散功率 23 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 17A

输入电容Ciss 540pF @25VVds

额定功率Max 3.2 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NVMFD5877NLWFT3G

型号： NVMFD5877NLWFT3G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：60 V 39 M +， 17 A，双娜????通道，逻辑电平，双SO8FL 60 V, 39 m, 17 A, Dual NâChannel, Logic Level, Dual SO8FL

替代型号NVMFD5877NLWFT3G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
NVMFD5877NLWFT3G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
NVMFD5877NLWFT1G 安森美	完全替代	NVMFD5877NLWFT3G和NVMFD5877NLWFT1G的区别
NVMFD5877NLT1G 安森美	类似代替	NVMFD5877NLWFT3G和NVMFD5877NLT1G的区别
NVMFD5877NLT3G 安森美	类似代替	NVMFD5877NLWFT3G和NVMFD5877NLT3G的区别