IRG4PH40UPBF

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IRG4PH40UPBF概述

INFINEON  IRG4PH40UPBF  单晶体管, IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

单 IGBT 超过 21A,

优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT


得捷:
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC


欧时:
Infineon IRG4PH40UPBF N沟道 IGBT, Vce=1200 V, 41 A, 3引脚 TO-247AC封装


贸泽:
IGBT Transistors 1200V UltraFast 5-40kHz


e络盟:
单晶体管, IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


Allied Electronics:
1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ DISCRETE IGBT IN A TO-247AC PACKAGE


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 41A 3-Pin3+Tab TO-247AC


富昌:
IRG4PH40U 系列 1200 V 21 A N 沟道 超快 IGBT - TO-247AC


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 41A; 160W; TO247-3


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


Newark:
# INFINEON  IRG4PH40UPBF  IGBT Single Transistor, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3


儒卓力:
**IGBT 1200V 21A 2,43V TO-247 **


IRG4PH40UPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 160 W

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

上升时间 18 ns

击穿电压集电极-发射极 1200 V

热阻 0.77℃/W RθJC

额定功率Max 160 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.9 mm

宽度 5.3 mm

高度 20.3 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Consumer Electronics, Refridgeration, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRG4PH40UPBF
型号: IRG4PH40UPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRG4PH40UPBF  单晶体管, IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
替代型号IRG4PH40UPBF
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IRG4PH40UPBF

Infineon 英飞凌

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