IRG4PH40UDPBF

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IRG4PH40UDPBF概述

INFINEON  IRG4PH40UDPBF  单晶体管, IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

Co-Pack IGBT 超过 21A,

Infineon 的隔离栅极双极 IGBT 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置


得捷:
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC


欧时:
Infineon IRG4PH40UDPBF N沟道 IGBT, 41 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装


e络盟:
单晶体管, IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 41A 3-Pin3+Tab TO-247AC


富昌:
绝缘栅 双极 晶体管 带超快软恢复二极管 - TO-247AC


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 41A; 160W; TO247-3


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


Newark:
# INFINEON  IRG4PH40UDPBF  IGBT Single Transistor, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pins


儒卓力:
**IGBT 1200V 21A 2,43V TO247 **


Win Source:
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC


IRG4PH40UDPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 160 W

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

上升时间 59.0 ns

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 63 ns

额定功率Max 160 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Alternative Energy, Power Management, Welding, 替代能源, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRG4PH40UDPBF
型号: IRG4PH40UDPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRG4PH40UDPBF  单晶体管, IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
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