P1206E18R2BNT

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P1206E18R2BNT概述

Thin Film Resistors - SMD P 1206 E 18R2 B N TR e2

SFERNICE THIN FILMS


立创商城:
18.2Ω ±0.1%


贸泽:
Thin Film Resistors - SMD P 1206 E 18R2 B N TR e2


艾睿:
Res Thin Film 1206 18.2 Ohm 0.1% 0.33W1/3W ±25ppm/°C Sulfur Resistant Pad SMD T/R


P1206E18R2BNT中文资料参数规格
技术参数

额定功率 330 mW

电阻 18.2 Ω

工作温度Max 155 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 200 V

封装参数

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.06 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.5 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 55℃ ~ 155℃

温度系数 ±25 ppm/℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: P1206E18R2BNT
制造商: VISHAY 威世
描述:Thin Film Resistors - SMD P 1206 E 18R2 B N TR e2

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