IRFH7440TRPBF

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IRFH7440TRPBF概述

INFINEON  IRFH7440TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.2 V

是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 增强栅极, 雪崩, 动态dV/dt耐用性能。适用于PWM逆变器拓扑, 电池供电电路, 半桥和全桥拓扑, 电子镇流器应用, 同步整流器应用。

SP001565996

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完全表征电容值与雪崩SOA
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增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能

得捷:
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN


欧时:
Infineon MOSFET IRFH7440TRPBF


立创商城:
N沟道 40V 85A


贸泽:
MOSFET 40V 85A 2.4mOhm 92nC STrongIRFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 85 A, 0.0018 ohm, PQFN, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R


Allied Electronics:
MOSFET; 40V; 85A; 2.4 mOhm; 92 nC Qg; PQFN56


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin PQFN T/R 4k


富昌:
Single N-Channel 40 V 104 W 92 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 85 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.2 V


儒卓力:
**N-CH 40V 159A 2,4mOhm PQFN5X6 **


力源芯城:
40V,2.4mΩ,159A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN


IRFH7440TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 104 W

通道数 1

针脚数 5

漏源极电阻 0.0018 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 2.2 V

输入电容 4574 pF

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 159A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 4574pF @25VVds

下降时间 42 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 PQFN-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 0.83 mm

封装 PQFN-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, Power Management, Consumer Full-Bridge, 电机, Full-Bridge, Isolated Pr, Motor Drive & Control, Lighting, , Push-Pull, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Operated Drive, Consumer Electronics, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFH7440TRPBF
型号: IRFH7440TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFH7440TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.2 V
替代型号IRFH7440TRPBF
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