INFINEON IRFH7440TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.2 V
是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 增强栅极, 雪崩, 动态dV/dt耐用性能。适用于PWM逆变器拓扑, 电池供电电路, 半桥和全桥拓扑, 电子镇流器应用, 同步整流器应用。
SP001565996
得捷:
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
欧时:
Infineon MOSFET IRFH7440TRPBF
立创商城:
N沟道 40V 85A
贸泽:
MOSFET 40V 85A 2.4mOhm 92nC STrongIRFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 85 A, 0.0018 ohm, PQFN, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R
Allied Electronics:
MOSFET; 40V; 85A; 2.4 mOhm; 92 nC Qg; PQFN56
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin PQFN T/R 4k
富昌:
Single N-Channel 40 V 104 W 92 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 85 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.2 V
儒卓力:
**N-CH 40V 159A 2,4mOhm PQFN5X6 **
力源芯城:
40V,2.4mΩ,159A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
额定功率 104 W
通道数 1
针脚数 5
漏源极电阻 0.0018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 2.2 V
输入电容 4574 pF
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 159A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 4574pF @25VVds
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 104W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PQFN-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 0.83 mm
封装 PQFN-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Power Management, Consumer Full-Bridge, 电机, Full-Bridge, Isolated Pr, Motor Drive & Control, Lighting, , Push-Pull, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Operated Drive, Consumer Electronics, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRFH7440TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFH7440TR2PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFH7440TRPBF和IRFH7440TR2PBF的区别 |