INFINEON IRFH5210TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 V 新
表面贴装型 N 通道 100 V 10A(Ta),55A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)
欧时:
MOSFET HEXFET N-Ch 100V 10A PQFN8
得捷:
MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
立创商城:
IRFH5210TRPBF
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Newark:
# INFINEON IRFH5210TRPBF MOSFET, N-CH, 100V, 55A, PQFN-8
儒卓力:
**N-CH 100V 55A 14,9mOhm PQFN5X6 **
力源芯城:
100V,14.9mΩ,55A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN
额定功率 3.6 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0126 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 9.7 ns
输入电容Ciss 2570pF @25VVds
额定功率Max 3.6 W
下降时间 6.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.6W Ta, 104W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
封装 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Primary Side MOSFETs, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Operated Drive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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