IRFH5210TRPBF

IRFH5210TRPBF图片1
IRFH5210TRPBF图片2
IRFH5210TRPBF图片3
IRFH5210TRPBF图片4
IRFH5210TRPBF图片5
IRFH5210TRPBF图片6
IRFH5210TRPBF图片7
IRFH5210TRPBF图片8
IRFH5210TRPBF概述

INFINEON  IRFH5210TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 V 新

表面贴装型 N 通道 100 V 10A(Ta),55A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)


欧时:
MOSFET HEXFET N-Ch 100V 10A PQFN8


得捷:
MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN


立创商城:
IRFH5210TRPBF


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R


Newark:
# INFINEON  IRFH5210TRPBF  MOSFET, N-CH, 100V, 55A, PQFN-8


儒卓力:
**N-CH 100V 55A 14,9mOhm PQFN5X6 **


力源芯城:
100V,14.9mΩ,55A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN


IRFH5210TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 3.6 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0126 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 9.7 ns

输入电容Ciss 2570pF @25VVds

额定功率Max 3.6 W

下降时间 6.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.6W Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Isolated Primary Side MOSFETs, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Operated Drive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRFH5210TRPBF
型号: IRFH5210TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFH5210TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 V 新
替代型号IRFH5210TRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFH5210TRPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

FDMS3662

飞兆/仙童

功能相似

IRFH5210TRPBF和FDMS3662的区别

IRFH5210TR2PBF

英飞凌

功能相似

IRFH5210TRPBF和IRFH5210TR2PBF的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台