单晶体管, IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263, 3 引脚
IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 133 W 表面贴装型 LPDS
得捷: FIELD STOP TRENCH IGBT
e络盟: 单晶体管, IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 D2PAK, 3 引脚
针脚数 3
耗散功率 133 W
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 55 ns
额定功率Max 133 W
工作温度Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册