RFP50N06

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RFP50N06概述

ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装

MegaFET MOSFET,Fairchild Semiconductor

MegaFET 工艺使用接近 LSI 集成电路的特征尺寸,对硅进行了最佳利用,从而获得出色的性能。

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


欧时:
ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装


立创商城:
RFP50N06


得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3


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Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220AB


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Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


RFP50N06中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.022 Ω

耗散功率 131 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 2020pF @25VVds

额定功率Max 131 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 131 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

RFP50N06引脚图与封装图
RFP50N06引脚图
RFP50N06封装焊盘图
在线购买RFP50N06
型号: RFP50N06
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
替代型号RFP50N06
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