ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
MegaFET MOSFET,Fairchild Semiconductor
MegaFET 工艺使用接近 LSI 集成电路的特征尺寸,对硅进行了最佳利用,从而获得出色的性能。
### MOSFET ,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
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RFP50N06
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MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
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针脚数 3
漏源极电阻 0.022 Ω
耗散功率 131 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 2020pF @25VVds
额定功率Max 131 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 131 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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