PSMN1R2-25YL,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
极性 N-Channel
耗散功率 121 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 125 ns
输入电容Ciss 6380pF @12VVds
额定功率Max 121 W
下降时间 56 ns
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 121W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PSMN1R2-25YL,115
型号： PSMN1R2-25YL,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PSMN1R2-25YL,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 100A, 4-SOT-669
替代型号PSMN1R2-25YL,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PSMN1R2-25YL,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PSMN1R2-25YL 恩智浦 | 完全替代 | PSMN1R2-25YL,115和PSMN1R2-25YL的区别 |
HAT2166H-EL-E 瑞萨电子 | 功能相似 | PSMN1R2-25YL,115和HAT2166H-EL-E的区别 |