Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN2R6-40YS,115, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
N 通道 MOSFET，40V 至 55V，
立创商城:
N沟道 40V 100A
得捷:
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
欧时:
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e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, SOT-669, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
针脚数 4
漏源极电阻 0.002 Ω
耗散功率 131 W
阈值电压 3 V
输入电容 3776 pF
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 3776pF @12VVds
额定功率Max 131 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 131W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
长度 5 mm
宽度 4.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-669
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 工业, 消费电子产品, 通信与网络
RoHS标准
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PSMN2R6-40YS,115 Nexperia 安世 | 当前型号 | 当前型号 |
PSMN3R3-40YS,115 安世 | 类似代替 | PSMN2R6-40YS,115和PSMN3R3-40YS,115的区别 |
PSMN4R0-40YS,115 安世 | 功能相似 | PSMN2R6-40YS,115和PSMN4R0-40YS,115的区别 |
PSMN1R8-40YLC,115 安世 | 功能相似 | PSMN2R6-40YS,115和PSMN1R8-40YLC,115的区别 |