





ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5800, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor
### MOSFET ,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5800, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
立创商城:
FDP5800
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 20 V, 2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
针脚数 3
漏源极电阻 0.0046 Ω
耗散功率 242 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 6890pF @15VVds
额定功率Max 242 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 242 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 9.9 mm
宽度 4.5 mm
高度 15.7 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free


