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FDP5800概述

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5800, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5800, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3


立创商城:
FDP5800


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 20 V, 2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


FDP5800中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0046 Ω

耗散功率 242 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 6890pF @15VVds

额定功率Max 242 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 242 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 15.7 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

FDP5800引脚图与封装图
FDP5800引脚图
FDP5800封装图
FDP5800封装焊盘图
在线购买FDP5800
型号: FDP5800
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5800, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

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