NSVMUN5111DW1T3G

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NSVMUN5111DW1T3G概述

MUN5111DW1 系列 50 V 100 mA 双 PNP 偏置 电阻 晶体管 - SOT−363

Thanks to "s digital transistor, you can easily benefit from the characteristics of traditional BJT s while working with digital systems.


得捷:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率


艾睿:
TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3


NSVMUN5111DW1T3G中文资料参数规格
技术参数

输出电压 200 mV

极性 PNP

耗散功率 385 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NSVMUN5111DW1T3G
型号: NSVMUN5111DW1T3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:MUN5111DW1 系列 50 V 100 mA 双 PNP 偏置 电阻 晶体管 - SOT−363

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