APT200GN60J

APT200GN60J图片1
APT200GN60J概述

IGBT 模块 FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227

IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP®


得捷:
IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP


贸泽:
IGBT 模块 FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW


APT200GN60J中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 682 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.4 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT200GN60J
型号: APT200GN60J
制造商: Microchip 微芯
描述:IGBT 模块 FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司