NVMFS4C01NT1G

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NVMFS4C01NT1G概述

N沟道 30V 370A

表面贴装型 N 通道 49A(Ta),319A(Tc) 3.84W(Ta),161W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN


立创商城:
NVMFS4C01NT1G


贸泽:
MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin4+Tab SO-FL


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 319A 8-Pin SO-FL T/R


NVMFS4C01NT1G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 161 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 10144pF @15VVds

下降时间 36 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.84W Ta, 161W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-FL-8

外形尺寸

封装 SO-FL-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NVMFS4C01NT1G
型号: NVMFS4C01NT1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:N沟道 30V 370A

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