IPP60R060P7XKSA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.5 V
通孔 N 通道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO220-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
欧时:
Infineon MOSFET IPP60R060P7XKSA1
立创商城:
N沟道 600V 48A
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Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
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Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
IPP60R060P7XKSA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.049 Ω
耗散功率 164 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2895pF @400VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 164000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
制造应用 Lighting, TV power supply, Server, Telecom, Industrial SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPP60R060P7XKSA1
型号： IPP60R060P7XKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.5 V