NGTB20N135IHRWG

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NGTB20N135IHRWG概述

ON SEMICONDUCTOR  NGTB20N135IHRWG  单晶体管, IGBT, 40 A, 2.2 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚

IGBT 分立,On Semiconductor

绝缘栅级双极性 IGBT,用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。

### IGBT 分立,On Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


得捷:
IGBT TRENCH/FS 1350V 40A TO247


立创商城:
NGTB20N135IHRWG


欧时:
ON Semiconductor NGTB20N135IHRWG N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装


贸泽:
IGBT Transistors 1350V/20A IGBT FSII TO-24


e络盟:
单晶体管, IGBT, 40 A, 2.2 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 3-Pin TO-247 Rail


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NGTB20N135IHRWG  IGBT Single Transistor, 40 A, 2.2 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pins


NGTB20N135IHRWG中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

耗散功率 394 W

击穿电压集电极-发射极 1350 V

额定功率Max 394 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 350000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.25 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.4 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

NGTB20N135IHRWG引脚图与封装图
NGTB20N135IHRWG引脚图
NGTB20N135IHRWG封装焊盘图
在线购买NGTB20N135IHRWG
型号: NGTB20N135IHRWG
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON SEMICONDUCTOR  NGTB20N135IHRWG  单晶体管, IGBT, 40 A, 2.2 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚

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