TNPW201051R1BETF

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TNPW201051R1BETF概述

Res Thin Film 2010 51.1Ω 0.1% 2/5W ±25ppm/℃ Molded SMD SMD Blister T/R

51.1 Ohms ±0.1% 0.4W,2/5W 芯片 2010(5025 公制) - 薄膜


得捷:
RES 51.1 OHM 0.1% 2/5W 2010


TNPW201051R1BETF中文资料参数规格
技术参数

容差 ±0.1 %

额定功率 0.4 W

电阻 51.1 Ω

阻值偏差 ±0.1 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 5025

封装 2010

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 2.5 mm

封装公制 5025

封装 2010

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±25 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

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型号: TNPW201051R1BETF
制造商: Vishay Dale 威世达勒
描述:Res Thin Film 2010 51.1Ω 0.1% 2/5W ±25ppm/℃ Molded SMD SMD Blister T/R
替代型号TNPW201051R1BETF
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TNPW201051R1BETF和TNPW201051R1BEEF的区别

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