WNA2R0FET

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WNA2R0FET概述

绕线电阻 2Ω ±1% 500mW

**Features:

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* Operating Temperature Range: –50°C to +150°C

* Designed to Meet MIL-R-26F, MIL-STD-202 Standard Requirements

* Manufacturing Process: Wire Winding/Spot Welding — by Computer Numerical Control CNC Machine Tools to Ensure Consistency of Product Quality

* Encapsulated by Epoxy Molding Compound

* Advanced IC Encapsulation Mold/Die Technologies


立创商城:
绕线电阻 2Ω ±1% 500mW


得捷:
RES 2 OHM 1% 1/2W AXIAL


Allied Electronics:
0.5W MINI MOLDED 2 OHM 1% NI


WNA2R0FET中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

产品系列 WN

电阻 2 Ω

阻值偏差 ±1 %

封装参数

封装 Axial

外形尺寸

长度 5.08 mm

直径 Φ2.54mm

封装 Axial

物理参数

温度系数 ±50 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: WNA2R0FET
制造商: Ohmite
描述:绕线电阻 2Ω ±1% 500mW

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