MJD45H11G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD45H11G概述

ON SEMICONDUCTOR MJD45H11G 单晶体管双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE

PNP 功率，

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MJD45H11G中文资料参数规格

技术参数

频率 90 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -8.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

热阻 6.25℃/W RθJC

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, Industrial, Power Management, Automotive, Signal Processing, 车用, Signal Processing, Automotive, 信号处理, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD45H11G引脚图与封装图

在线购买MJD45H11G

型号： MJD45H11G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MJD45H11G 单晶体管双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE

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替代型号MJD45H11G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MJD45H11G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
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MJD45H11RL 安森美	完全替代	MJD45H11G和MJD45H11RL的区别
MJD45H11T4G 安森美	类似代替	MJD45H11G和MJD45H11T4G的区别