2SC5006

2SC5006 NPN三极管 20V 100mA/0.1A 4.5Ghz 80~160 3V SOT-523 marking/标记 23

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 12V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 4.5Ghz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 80~160 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 3V 耗散功率PcPower Dissipation| 125mW/0.125W Description & Applications| Features • SILICON TRANSISTOR • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD • Low Voltage Use. • High fT :4.5 GHz TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz • Low Cre : 0.7 pF TYP. @ VCE = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz • Low NF : 1.2 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz • High |S21e|2: 9 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC =7 mA, f = 1 GHz • Ultra Super Mini Mold Package. 描述与应用| 特点 •硅 •NPN硅外延型晶体管3针超超迷你模具•低电压使用。 •高FT：4.5 GHz的TYP。 （@ VCE= 3 V，IC=7 mA时，F= 1千兆赫） •低CRE：0.7 PF TYP。 （@ VCE=3 V，IE= 0时，F =1兆赫） •低噪声系数：1.2 dB典型值。 （IC= 3毫安，@ VCE= 7 V，F =1吉赫） •高| S21E|2：TYP9分贝。 （@ VCE= 3 V，IC=7 mA时，F= 1千兆赫） •超超级迷你模具包装。