NTD5865NLT4G

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NTD5865NLT4G概述

ON SEMICONDUCTOR  NTD5865NLT4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.013 ohm, 10 V, 1 V

N 通道功率 MOSFET,60V,


得捷:
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865NLT4G, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
N沟道 60V 46A


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this NTD5865NLT4G power MOSFET from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 71000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
NTD5865NLT4G N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 60 V, 3-Pin DPAK


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 71W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NTD5865NLT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 0.013 ohm, 10 V, 1 V


力源芯城:
60V,34A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 40A 16MOHM DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK


NTD5865NLT4G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 52 W

阈值电压 1 V

输入电容 1.4 nF

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 12.4 ns

输入电容Ciss 1400pF @25VVds

额定功率Max 52 W

下降时间 4.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

数据手册

NTD5865NLT4G引脚图与封装图
NTD5865NLT4G引脚图
NTD5865NLT4G封装焊盘图
在线购买NTD5865NLT4G
型号: NTD5865NLT4G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTD5865NLT4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.013 ohm, 10 V, 1 V
替代型号NTD5865NLT4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NTD5865NLT4G

ON Semiconductor 安森美

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