INFINEON IRLR3103TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1 V 新
N 通道功率 MOSFET，30V，
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 69 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 107 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 55A
上升时间 210 ns
反向恢复时间 81 ns
正向电压Max 1.3 V
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
额定功率Max 107 W
下降时间 54 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 175℃
耗散功率Max 107W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLR3103TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLR3103PBF 英飞凌 | 完全替代 | IRLR3103TRPBF和IRLR3103PBF的区别 |
IRLR3103TRLPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRLR3103TRPBF和IRLR3103TRLPBF的区别 |
IRLR3103 英飞凌 | 类似代替 | IRLR3103TRPBF和IRLR3103的区别 |