ON SEMICONDUCTOR NSS60601MZ4T1G 单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE
Bipolar BJT Transistor NPN 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223
得捷:
TRANS NPN 60V 6A SOT223
欧时:
NPN 60V/6A LOW VCESAT
立创商城:
NSS60601MZ4T1G
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单晶体管 双极, 低VCESat, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
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Trans GP BJT NPN 60V 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
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Trans GP BJT NPN 60V 6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
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Trans GP BJT NPN 60V 6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
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# ON SEMICONDUCTOR NSS60601MZ4T1G Bipolar BJT Single Transistor, Low VCE Sat, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 6A 60V SOT-223
Win Source:
TRANS NPN 60V 6A SOT-223
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 710 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 6A
最小电流放大倍数hFE 120 @1A, 2V
额定功率Max 800 mW
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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NSS60601MZ4T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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FZT851TA 美台 | 功能相似 | NSS60601MZ4T1G和FZT851TA的区别 |