MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,
Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧和低侧配置。
### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
欧时:
Infineon IRS2112SPBF 双 MOSFET 功率驱动器, 0.6A, 10 → 20 V电源, 16引脚 SOIC封装
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
艾睿:
Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
Chip1Stop:
Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -440÷200mA; 1.25W
Verical:
Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
额定功率 1.25 W
上升/下降时间 75ns, 35ns
输出接口数 2
输出电压 600 V
输出电流 290.600 mA
通道数 2
耗散功率 1250 mW
下降时间Max 65 ns
上升时间Max 130 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1250 mW
电源电压 10V ~ 20V
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
长度 10.5 mm
宽度 7.6 mm
高度 2.35 mm
封装 SOIC-16
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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