IRS2112SPBF

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IRS2112SPBF概述

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,

Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧和低侧配置。

### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC


欧时:
Infineon IRS2112SPBF 双 MOSFET 功率驱动器, 0.6A, 10 → 20 V电源, 16引脚 SOIC封装


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA


艾睿:
Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube


Chip1Stop:
Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube


TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -440÷200mA; 1.25W


Verical:
Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube


IRS2112SPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.25 W

上升/下降时间 75ns, 35ns

输出接口数 2

输出电压 600 V

输出电流 290.600 mA

通道数 2

耗散功率 1250 mW

下降时间Max 65 ns

上升时间Max 130 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1250 mW

电源电压 10V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

长度 10.5 mm

宽度 7.6 mm

高度 2.35 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

IRS2112SPBF引脚图与封装图
IRS2112SPBF电路图
在线购买IRS2112SPBF
型号: IRS2112SPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,Infineon ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
替代型号IRS2112SPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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