INFINEON IR2101SPBF 芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,
Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧和低侧配置。
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
欧时:
### MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:210mA 拉:360mA
e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360 mA输出, SOIC-8
艾睿:
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Allied Electronics:
HIGH AND LOW SIDE DRIVER; NONINVERTING INPUTS IN A 8-LEAD SOIC PACKAGE
安富利:
HIGH AND LOW SIDE DRIVER, NONINVERTING INPUTS IN A 8-LEAD SO
Chip1Stop:
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -270÷130mA; 625mW
Newark:
# INFINEON IR2101SPBF MOSFET Driver, High Side and Low Side, 10V-20V supply, 360 mA output, SOIC-8
儒卓力:
**High and Low Side Driver SO-8 **
Win Source:
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
电源电压DC 10.0V min
工作电压 10V ~ 20V
上升/下降时间 100ns, 50ns
输出接口数 2
输出电流 210 mA
通道数 2
针脚数 8
耗散功率 625 mW
静态电流 270 µA
上升时间 170 ns
下降时间 90 ns
下降时间Max 90 ns
上升时间Max 170 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 传感与仪器, 电源管理, 自动化与过程控制, 计算机和计算机周边, 便携式器材
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2018/06/27
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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