IR2101SPBF

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IR2101SPBF概述

INFINEON  IR2101SPBF  芯片, MOSFET驱动器 高边&低边

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,

Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧和低侧配置。


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


欧时:
### MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:210mA 拉:360mA


e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360 mA输出, SOIC-8


艾睿:
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube


Allied Electronics:
HIGH AND LOW SIDE DRIVER; NONINVERTING INPUTS IN A 8-LEAD SOIC PACKAGE


安富利:
HIGH AND LOW SIDE DRIVER, NONINVERTING INPUTS IN A 8-LEAD SO


Chip1Stop:
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube


TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -270÷130mA; 625mW


Newark:
# INFINEON  IR2101SPBF  MOSFET Driver, High Side and Low Side, 10V-20V supply, 360 mA output, SOIC-8


儒卓力:
**High and Low Side Driver SO-8 **


Win Source:
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC


IR2101SPBF中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V min

工作电压 10V ~ 20V

上升/下降时间 100ns, 50ns

输出接口数 2

输出电流 210 mA

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 625 mW

静态电流 270 µA

上升时间 170 ns

下降时间 90 ns

下降时间Max 90 ns

上升时间Max 170 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 传感与仪器, 电源管理, 自动化与过程控制, 计算机和计算机周边, 便携式器材

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2018/06/27

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IR2101SPBF引脚图与封装图
IR2101SPBF引脚图
IR2101SPBF封装图
IR2101SPBF封装焊盘图
在线购买IR2101SPBF
型号: IR2101SPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IR2101SPBF  芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
替代型号IR2101SPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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