INFINEON IR2111SPBF 双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,
Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用半桥配置。
### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
欧时:
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用半桥配置。### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
贸泽:
门驱动器 HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA
艾睿:
Driver 600V 0.5A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Chip1Stop:
Driver 600V 0.5A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -420÷200mA; 625mW
Newark:
MOSFET Driver, Half Bridge, 10V-20V supply, 200 mA output, SOIC-8
Win Source:
IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
电源电压DC 10.0V min
额定功率 625 mW
上升/下降时间 80ns, 40ns
输出接口数 2
输出电压 600 V
输出电流 250.500 mA
通道数 2
针脚数 8
耗散功率 625 mW
上升时间 130 ns
下降时间 65 ns
下降时间Max 65 ns
上升时间Max 130 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IR2111SPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IR2111STRPBF 英飞凌 | 完全替代 | IR2111SPBF和IR2111STRPBF的区别 |
IR2112S 英飞凌 | 功能相似 | IR2111SPBF和IR2112S的区别 |