IR2111SPBF

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IR2111SPBF概述

INFINEON  IR2111SPBF  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,

Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用半桥配置。

### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


欧时:
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用半桥配置。### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA


贸泽:
门驱动器 HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA


艾睿:
Driver 600V 0.5A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube


Chip1Stop:
Driver 600V 0.5A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube


TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -420÷200mA; 625mW


Newark:
MOSFET Driver, Half Bridge, 10V-20V supply, 200 mA output, SOIC-8


Win Source:
IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC


IR2111SPBF中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V min

额定功率 625 mW

上升/下降时间 80ns, 40ns

输出接口数 2

输出电压 600 V

输出电流 250.500 mA

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 625 mW

上升时间 130 ns

下降时间 65 ns

下降时间Max 65 ns

上升时间Max 130 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IR2111SPBF引脚图与封装图
IR2111SPBF电路图
在线购买IR2111SPBF
型号: IR2111SPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IR2111SPBF  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
替代型号IR2111SPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IR2111SPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

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